* Изображение дано в качестве иллюстрации.
NCD5701ADR2G
ONSEMI - NCD5701ADR2G - Драйвер БТИЗ, полумостовой, 4A, 13.2В до 20В питание, 56нс/63нс задержка, SOIC-8
Производитель: ON Semiconductor
ID: 426733
| Название | Значение |
| Максимальная рабочая температура | 125 °C |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Количество выводов | 8 вывод(-ов) |
| SVHC | No SVHC (08-Jul-2021) |
| Уровень чувствительности к влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Максимальное напряжение питания | 20 В |
| Минимальное напряжение питания | 13.2 В |
| Количество каналов | 1 канал(-ов) |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Конфигурация Привода | Полумост |
Артикул: NCD5701ADR2G
id: 426733
Производитель: ON Semiconductor
Максимальная рабочая температура: 125 °C
Минимальная рабочая температура: -40 °C
Количество выводов: 8 вывод(-ов)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Максимальное напряжение питания: 20 В
Минимальное напряжение питания: 13.2 В
Количество каналов: 1 канал(-ов)
Стиль Корпуса Привода: SOIC
Конфигурация Привода: Полумост
Задержка по Входу: 56 нс
Задержка Выхода: 63 нс
Power Switch Type: IGBT
Source Current: 4 А
Sink Current: 6 А