Купить SIRA99DP-T1-GE3 . Транзисторы с каналом типа N, с каналом типа P в alfalider

Внимание! Проводятся технические работы!

      Приносим Вам свои извинения за доставленные неудобства. На данный момент наш новый сайт находится в разработке и скоро будет доступен.

      Вы можете ознакомиться с нашими брендами по ссылке и связаться с нашими менеджерами для оформления заказа.

Бренды Контакты
Предыдущий товар
Следующий товар
SIRA99DP-T1-GE3
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

SIRA99DP-T1-GE3

VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 195 А, 0.0013 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount

Производитель: Vishay Intertechnology

ID: 1927015

НазваниеЗначение
Линейка продукции TrenchFET
Максимальная рабочая температура 150 °C
Рассеиваемая мощность 104 Вт
Количество выводов 8 вывод(-ов)
SVHC Lead (19-Jan-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Непрерывный ток стока 195 А
Transistor Mounting Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs 2.5 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0013 Ом
Артикул: SIRA99DP-T1-GE3
id: 1927015
Производитель: Vishay Intertechnology
Линейка продукции: TrenchFET
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 104 Вт
Количество выводов: 8 вывод(-ов)
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Непрерывный ток стока: 195 А
Transistor Mounting: Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs: 2.5 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0013 Ом
Стиль Корпуса Транзистора: PowerPAK SO
Напряжение Истока-стока Vds: 30 В
Напряжение Измерения Rds(on): 10 В
Полярность транзистора: P Канал