Купить SI2308BDS-T1-GE3 . Транзисторы с каналом типа N, с каналом типа P в alfalider
г. Минск, 220136, ул.Лобанка,д.4, оф.1H
info@alider.by
SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

SI2308BDS-T1-GE3

VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.3 А, 0.13 Ом, TO-236, Surface Mount

Производитель: Vishay Intertechnology

ID: 208436

НазваниеЗначение
Максимальная рабочая температура 150 °C
Рассеиваемая мощность 1.09 Вт
Количество выводов 3 вывод(-ов)
SVHC No SVHC (19-Jan-2021)
Непрерывный ток стока 2.3 А
Transistor Mounting Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs 3 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.13 Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-236
Напряжение Истока-стока Vds 60 В
Артикул: SI2308BDS-T1-GE3
id: 208436
Производитель: Vishay Intertechnology
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 1.09 Вт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Непрерывный ток стока: 2.3 А
Transistor Mounting: Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs: 3 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.13 Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-236
Напряжение Истока-стока Vds: 60 В
Напряжение Измерения Rds(on): 10 В
Полярность транзистора: N Канал