Купить DMN3032LE-13 . Транзисторы с каналом типа N, с каналом типа P в alfalider

Внимание! Проводятся технические работы!

      Приносим Вам свои извинения за доставленные неудобства. На данный момент наш новый сайт находится в разработке и скоро будет доступен.

      Вы можете ознакомиться с нашими брендами по ссылке и связаться с нашими менеджерами для оформления заказа.

Бренды Контакты
Предыдущий товар
Следующий товар
DMN3032LE-13
DMN3032LE-13
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

DMN3032LE-13

N-Channel 30 V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Производитель: DIODES INCORPORATED

ID: 2306319

НазваниеЗначение
Корпус TO-261-4,TO-261AA
Диапазон рабочих температур -55..150°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Упаковка Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package SOT-223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Ta)
FET Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Артикул: DMN3032LE-13
id: 2306319
Производитель: DIODES INCORPORATED
Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Диапазон рабочих температур: -55..150°C (TJ)
Вид монтажа: Surface Mount
Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Упаковка: Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498пФ @ 15V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5В, 10V