* Изображение дано в качестве иллюстрации.
FJB102TM
ONSEMI - FJB102TM - Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 8 А, 80 Вт, TO-263AB, Surface Mount
Производитель: ON Semiconductor
ID: 105002
| Название | Значение |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 80 Вт |
| Количество выводов | 3 вывод(-ов) |
| SVHC | Lead (08-Jul-2021) |
| Уровень чувствительности к влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Полярность транзистора | NPN |
| Ток коллектора | 8 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 100 В |
Артикул: FJB102TM
id: 105002
Производитель: ON Semiconductor
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 80 Вт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Transistor Mounting: Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора: TO-263AB
Полярность транзистора: NPN
Ток коллектора: 8 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
DC Усиление Тока hFE: 200 hFE