* Изображение дано в качестве иллюстрации.
КТ817Г
Транзистор; 3 А; 6 А; 100 В; 5 В; 1 Вт; 25; 0.6 В; 100 мкА; 3 МГц; 60..115 пФ; 125 °С
Производитель: Интеграл
ID: 455487
| Название | Значение |
| Диапазон рабочих температур | -40..+10°C |
| Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора, не менее | 0.6 В |
| Граничная частота коэффициента передачи тока, не более | 3 МГц |
| Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер | 100 В |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора | 6 А |
| Обратный ток эмиттера | 100 мкА |
| Максимально допустимая температура перехода | 125 °С |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора | 3 А |
| Ёмкость коллекторного перехода | 60..115 пФ |
| Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора, не более | 25 |
Артикул: КТ817Г
id: 455487
Производитель: Интеграл
Диапазон рабочих температур: -40..+10°C
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора, не менее: 0.6 В
Граничная частота коэффициента передачи тока, не более: 3 МГц
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора: 6 А
Обратный ток эмиттера: 100 мкА
Максимально допустимая температура перехода: 125 °С
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора: 3 А
Ёмкость коллекторного перехода: 60..115 пФ
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора, не более: 25
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю: 5 В
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора: 1 Вт