Купить КТ817Г . Транзисторы NPN и PNP в alfalider
г. Минск, 220136, ул.Лобанка,д.4, оф.1H
info@alider.by
КТ817Г
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

КТ817Г

Транзистор; 3 А; 6 А; 100 В; 5 В; 1 Вт; 25; 0.6 В; 100 мкА; 3 МГц; 60..115 пФ; 125 °С

Производитель: Интеграл

ID: 455487

НазваниеЗначение
Диапазон рабочих температур -40..+10°C
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора, не менее 0.6 В
Граничная частота коэффициента передачи тока, не более 3 МГц
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер 100 В
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора 6 А
Обратный ток эмиттера 100 мкА
Максимально допустимая температура перехода 125 °С
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора 3 А
Ёмкость коллекторного перехода 60..115 пФ
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора, не более 25
Артикул: КТ817Г
id: 455487
Производитель: Интеграл
Диапазон рабочих температур: -40..+10°C
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора, не менее: 0.6 В
Граничная частота коэффициента передачи тока, не более: 3 МГц
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора: 6 А
Обратный ток эмиттера: 100 мкА
Максимально допустимая температура перехода: 125 °С
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора: 3 А
Ёмкость коллекторного перехода: 60..115 пФ
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора, не более: 25
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю: 5 В
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора: 1 Вт