Купить микросхему AS4C256M16D3LB-12BIN . EEPROM память в alfalider
г. Минск, 220136, ул.Лобанка,д.4, оф.1H
info@alider.by
AS4C256M16D3LB-12BIN
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

AS4C256M16D3LB-12BIN

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производитель: ALLIANCE SEMICONDUCTOR

ID: 2266598

НазваниеЗначение
Вид упаковки лоток
Корпус 96-FBGA (13.5x9),96-TFBGA,FBGA96
Тактовая частота 800MHz,800МГц
Напряжение питания 1.283V ~ 1.45V
Ёмкость памяти 4Гбит
Рабочее напряжение 1.35В
Диапазон рабочих температур -40...85°C,-40°C ~ 95°C (TC)
Вид монтажа SMD,Surface Mount
Размер памяти 4Gb (256M x 16)
Тип микросхемы память
Артикул: AS4C256M16D3LB-12BIN
id: 2266598
Производитель: ALLIANCE SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: лоток
Корпус: 96-FBGA (13.5x9), 96-TFBGA, FBGA96
Тактовая частота: 800MHz, 800МГц
Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
Ёмкость памяти: 4Гбит
Рабочее напряжение: 1.35В
Диапазон рабочих температур: -40...85°C, -40°C ~ 95°C (TC)
Вид монтажа: SMD, Surface Mount
Размер памяти: 4Gb (256M x 16)
Тип микросхемы: память
Вид памяти: DDR3, SDRAM
Упаковка: лоток
Тип памяти: Volatile
Структура памяти: 256Мx16бит
Формат памяти: DRAM
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Интерфейс памяти: Parallel
Technology: SDRAM - DDR3L
Access Time: 20ns