* Изображение дано в качестве иллюстрации.
H11G2M
Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:4,17кВ; DIP6
Производитель: ON Semiconductor
ID: 115459
| Название | Значение |
| Корпус | DIP6 |
| Вид монтажа | THT |
| Длина | 114 мм |
| Ширина | 70 мм |
| Вес | 1 г |
| Высота | 12 мм |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 80 В |
| Напряжение изоляции | 4.17 кВ |
| Вид выхода | схема Дарлингтона |
Артикул: H11G2M
id: 115459
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DIP6
Вид монтажа: THT
Длина: 114 мм
Ширина: 70 мм
Вес: 1 г
Высота: 12 мм
Количество каналов: 1
Напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
Напряжение изоляции: 4.17 кВ
Вид выхода: схема Дарлингтона
Тип полупроводникового элемента: оптрон
Коэффициент передачи тока (CTR): 100%@10mA