* Изображение дано в качестве иллюстрации.
MJD122T4G
ONSEMI - MJD122T4G - Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 8 А, 20 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Производитель: ON Semiconductor
ID: 1536078
| Название | Значение |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 20 Вт |
| Количество выводов | 3 вывод(-ов) |
| SVHC | Lead (08-Jul-2021) |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 (DPAK) |
| Полярность транзистора | NPN |
| Ток коллектора | 8 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 100 В |
| Частота Перехода ft | 4 МГц |
Артикул: MJD122T4G
id: 1536078
Производитель: ON Semiconductor
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 20 Вт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Transistor Mounting: Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252 (DPAK)
Полярность транзистора: NPN
Ток коллектора: 8 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
Частота Перехода ft: 4 МГц
DC Усиление Тока hFE: 1000 hFE