* Изображение дано в качестве иллюстрации.
MJD350T4G
ONSEMI - MJD350T4G - Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, 300 В, 500 мА, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Производитель: ON Semiconductor
ID: 1547552
| Название | Значение |
| Линейка продукции | MJxxxx |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 15 Вт |
| Количество выводов | 4 вывод(-ов) |
| SVHC | Lead (08-Jul-2021) |
| Уровень чувствительности к влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Стандарты автомобильной промышленности | AEC-Q101 |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 (DPAK) |
| Полярность транзистора | PNP |
Артикул: MJD350T4G
id: 1547552
Производитель: ON Semiconductor
Линейка продукции: MJxxxx
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 15 Вт
Количество выводов: 4 вывод(-ов)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты автомобильной промышленности: AEC-Q101
Transistor Mounting: Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252 (DPAK)
Полярность транзистора: PNP
Ток коллектора: 500 мА
Напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
Частота Перехода ft: 10 МГц
DC Усиление Тока hFE: 30 hFE