* Изображение дано в качестве иллюстрации.
FQD4P25TM-WS
ONSEMI - FQD4P25TM-WS - Силовой МОП-транзистор, P Канал, 250 В, 3.1 А, 1.63 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Производитель: ON Semiconductor
ID: 417365
| Название | Значение |
| Линейка продукции | QFET |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 45 Вт |
| Количество выводов | 3 вывод(-ов) |
| SVHC | No SVHC (08-Jul-2021) |
| Уровень чувствительности к влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Непрерывный ток стока | 3.1 А |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5 В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.63 Ом |
Артикул: FQD4P25TM-WS
id: 417365
Производитель: ON Semiconductor
Линейка продукции: QFET
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 45 Вт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Непрерывный ток стока: 3.1 А
Transistor Mounting: Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs: 5 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 1.63 Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252 (DPAK)
Напряжение Истока-стока Vds: 250 В
Напряжение Измерения Rds(on): 10 В
Полярность транзистора: P Канал