* Изображение дано в качестве иллюстрации.
MMBTH10LT1G
ONSEMI - MMBTH10LT1G - Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 4 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount
Производитель: ON Semiconductor
ID: 426657
| Название | Значение |
| Линейка продукции | MMBTxxxx |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 225 мВт |
| Количество выводов | 3 вывод(-ов) |
| SVHC | No SVHC (08-Jul-2021) |
| Уровень чувствительности к влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Стандарты автомобильной промышленности | AEC-Q101 |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Полярность транзистора | NPN |
Артикул: MMBTH10LT1G
id: 426657
Производитель: ON Semiconductor
Линейка продукции: MMBTxxxx
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 225 мВт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты автомобильной промышленности: AEC-Q101
Transistor Mounting: Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора: SOT-23
Полярность транзистора: NPN
Ток коллектора: 4 мА
Напряжение коллектор-эмиттер: 25 В
Частота Перехода ft: 650 МГц
DC Усиление Тока hFE: 60 hFE