* Изображение дано в качестве иллюстрации.
MJE5730G
ONSEMI - MJE5730G - Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 1 А, 40 Вт, TO-220, Through Hole
Производитель: ON Semiconductor
ID: 526640
| Название | Значение |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 40 Вт |
| Количество выводов | 3 вывод(-ов) |
| SVHC | Lead (08-Jul-2021) |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Ток коллектора | 1 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 300 В |
| Частота Перехода ft | 10 МГц |
Артикул: MJE5730G
id: 526640
Производитель: ON Semiconductor
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 40 Вт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Transistor Mounting: Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора: TO-220
Полярность транзистора: PNP
Ток коллектора: 1 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
Частота Перехода ft: 10 МГц
DC Усиление Тока hFE: 10 hFE