Купить SI2319DDS-T1-GE3 . Транзисторы с каналом типа N, с каналом типа P в alfalider
г. Минск, 220136, ул.Лобанка,д.4, оф.1H
info@alider.by
SI2319DDS-T1-GE3
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

SI2319DDS-T1-GE3

VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 3.6 А, 0.062 Ом, SOT-23, Surface Mount

Производитель: Vishay Intertechnology

ID: 2287710

НазваниеЗначение
Линейка продукции TrenchFET Gen III
Максимальная рабочая температура 150 °C
Рассеиваемая мощность 1.7 Вт
Количество выводов 3 вывод(-ов)
SVHC No SVHC (19-Jan-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Непрерывный ток стока 3.6 А
Transistor Mounting Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs 2.5 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.062 Ом
Артикул: SI2319DDS-T1-GE3
id: 2287710
Производитель: Vishay Intertechnology
Линейка продукции: TrenchFET Gen III
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Непрерывный ток стока: 3.6 А
Transistor Mounting: Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs: 2.5 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.062 Ом
Стиль Корпуса Транзистора: SOT-23
Напряжение Истока-стока Vds: 40 В
Напряжение Измерения Rds(on): 10 В
Полярность транзистора: P Канал