Транзистор
г. Минск, 220136, ул.Лобанка,д.4, оф.1H
info@alider.by
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

SI2319DS-T1-E3

VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 3 А, 0.065 Ом, TO-236, Surface Mount

Производитель: Vishay Intertechnology

ID: 520347

НазваниеЗначение
Максимальная рабочая температура 150 °C
Рассеиваемая мощность 750 мВт
Количество выводов 3 вывод(-ов)
SVHC No SVHC (08-Jul-2021)
Непрерывный ток стока 3 А
Transistor Mounting Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs 3 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.065 Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-236
Напряжение Истока-стока Vds 40 В
Артикул: SI2319DS-T1-E3
id: 520347
Производитель: Vishay Intertechnology
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 750 мВт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Непрерывный ток стока: 3 А
Transistor Mounting: Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs: 3 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.065 Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-236
Напряжение Истока-стока Vds: 40 В
Напряжение Измерения Rds(on): 10 В
Полярность транзистора: P Канал