Купить MJD127G . Транзисторы NPN и PNP в alfalider
г. Минск, 220136, ул.Лобанка,д.4, оф.1H
info@alider.by
MJD127G
MJD127G
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

MJD127G

ONSEMI - MJD127G - Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В, 8 А, 1.75 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Производитель: ON Semiconductor

ID: 160968

НазваниеЗначение
Максимальная рабочая температура 150 °C
Рассеиваемая мощность 1.75 Вт
Количество выводов 3 вывод(-ов)
SVHC Lead (08-Jul-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стандарты автомобильной промышленности AEC-Q101
Transistor Mounting Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-252 (DPAK)
Полярность транзистора PNP
Ток коллектора 8 А
Артикул: MJD127G
id: 160968
Производитель: ON Semiconductor
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
Количество выводов: 3 вывод(-ов)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты автомобильной промышленности: AEC-Q101
Transistor Mounting: Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252 (DPAK)
Полярность транзистора: PNP
Ток коллектора: 8 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
DC Усиление Тока hFE: 12 hFE