Купить MJD31C-13 . Транзисторы NPN и PNP в alfalider

Внимание! Проводятся технические работы!

      Приносим Вам свои извинения за доставленные неудобства. На данный момент наш новый сайт находится в разработке и скоро будет доступен.

      Вы можете ознакомиться с нашими брендами по ссылке и связаться с нашими менеджерами для оформления заказа.

Бренды Контакты
Предыдущий товар
Следующий товар
MJD31C-13
MJD31C-13
* Изображение дано в качестве иллюстрации.

MJD31C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT

Производитель: DIODES INCORPORATED

ID: 2307156

НазваниеЗначение
Корпус DPak (2 Leads + Tab),SC-63,TO-252-3
Максимальная мощность 1.56W
Диапазон рабочих температур -55..150°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Упаковка Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package DPAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Частота транзистора 3 МГц
Артикул: MJD31C-13
id: 2307156
Производитель: DIODES INCORPORATED
Корпус: DPak (2 Leads + Tab), SC-63, TO-252-3
Максимальная мощность: 1.56W
Диапазон рабочих температур: -55..150°C (TJ)
Вид монтажа: Surface Mount
Тип транзистора: NPN
Упаковка: Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Частота транзистора: 3 МГц
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A