* Изображение дано в качестве иллюстрации.
КТ814Г
Транзистор; 1.5 А; 3 А; 80 В; 5 В; 1 Вт (10 Вт); 0.6 В; 50 мкА; 3 МГц; 60 пФ; 75 пФ; 125 °С
Производитель: Кремний
ID: 703243
| Название | Значение |
| Диапазон рабочих температур | -40..+100°С |
| Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер | 80 В |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора | 3 А |
| Максимально допустимая температура перехода | 125 °С |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора | 1.5 А |
| Ёмкость коллекторного перехода | не более 60 пФ,не более 75 пФ |
| Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю | 5 В |
| Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | не более 50 мкА |
| Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | не менее 30 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | не менее 3 МГц |
Артикул: КТ814Г
id: 703243
Производитель: Кремний
Диапазон рабочих температур: -40..+100°С
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора: 3 А
Максимально допустимая температура перехода: 125 °С
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора: 1.5 А
Ёмкость коллекторного перехода: не более 60 пФ, не более 75 пФ
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю: 5 В
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора: не менее 30
Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 3 МГц
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора: не более 0.6 В
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора при максимально допустимой постоянной мощности, рассеивающейся на коллекторе транзистора с теплоотводом 10 Вт: 1 Вт