* Изображение дано в качестве иллюстрации.
КТ8159В
Транзистор; 12 А; 20 А; 100 В; 100 В; 5 В; 125 Вт; 2 В; 5 мА; 0.4 мкА; 150 °С
Производитель: Интеграл
ID: 703244
| Название | Значение |
| Диапазон рабочих температур | -40..+85°С |
| Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер | 100 В |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора | 20 А |
| Максимально допустимая температура перехода | 150°С |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора | 12 А |
| Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю | 5 В |
| Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | 125 Вт |
| Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | не более 0.4 мкА |
| Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | не менее 1000 |
| Максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю | 100 В |
Артикул: КТ8159В
id: 703244
Производитель: Интеграл
Диапазон рабочих температур: -40..+85°С
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора: 20 А
Максимально допустимая температура перехода: 150°С
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора: 12 А
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю: 5 В
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора: 125 Вт
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0.4 мкА
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора: не менее 1000
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю: 100 В
Обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора: не более 5 мА
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора: не более 2 В