* Изображение дано в качестве иллюстрации.
SI4425DDY-T1-GE3
VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 19.7 А, 0.0081 Ом, SOIC, Surface Mount
Производитель: Vishay Intertechnology
ID: 519817
| Название | Значение |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 5.7 Вт |
| Количество выводов | 8 вывод(-ов) |
| SVHC | Lead (19-Jan-2021) |
| Уровень чувствительности к влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Непрерывный ток стока | 19.7 А |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2 В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0081 Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Артикул: SI4425DDY-T1-GE3
id: 519817
Производитель: Vishay Intertechnology
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 5.7 Вт
Количество выводов: 8 вывод(-ов)
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Уровень чувствительности к влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Непрерывный ток стока: 19.7 А
Transistor Mounting: Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs: 1.2 В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0081 Ом
Стиль Корпуса Транзистора: SOIC
Напряжение Истока-стока Vds: 30 В
Напряжение Измерения Rds(on): 10 В
Полярность транзистора: P Канал