* Изображение дано в качестве иллюстрации.
FF100R12RT4HOSA1
INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 100A
Производитель: Infineon Technologies
ID: 709690
| Название | Значение |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность | 555 Вт |
| SVHC | No SVHC (08-Jul-2021) |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Полярность транзистора | N Канал |
| Ток коллектора | 100 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 кВ |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 °C |
| IGBT Termination | Stud |
| IGBT Configuration | Dual |
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
id: 709690
Производитель: Infineon Technologies
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Рассеиваемая мощность: 555 Вт
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Стиль Корпуса Транзистора: Module
Полярность транзистора: N Канал
Ток коллектора: 100 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2 кВ
Максимальная Температура Перехода Tj: 150 °C
IGBT Termination: Stud
IGBT Configuration: Dual
IGBT Technology: IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.75 В