* Изображение дано в качестве иллюстрации.
FF150R12KT3GHOSA1
INFINEON - FF150R12KT3GHOSA1 - БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 225 А, 1.7 В, 780 Вт, 125 °C, Module
Производитель: Infineon Technologies
ID: 709696
| Название | Значение |
| Линейка продукции | 62mm C |
| Максимальная рабочая температура | 125 °C |
| Рассеиваемая мощность | 780 Вт |
| SVHC | No SVHC (08-Jul-2021) |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Полярность транзистора | N Канал |
| Ток коллектора | 225 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 кВ |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125 °C |
| IGBT Termination | Tab |
Артикул: FF150R12KT3GHOSA1
id: 709696
Производитель: Infineon Technologies
Линейка продукции: 62mm C
Максимальная рабочая температура: 125 °C
Рассеиваемая мощность: 780 Вт
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Стиль Корпуса Транзистора: Module
Полярность транзистора: N Канал
Ток коллектора: 225 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2 кВ
Максимальная Температура Перехода Tj: 125 °C
IGBT Termination: Tab
IGBT Configuration: Dual
IGBT Technology: IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.7 В