Артикул: EPC8010
id: 2282263
Производитель: EPC
Серия: eGaN®
Корпус: Die
Диапазон рабочих температур: -40..150°C (TJ)
Вид монтажа: Surface Mount
Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
Упаковка: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Vgs (Max): +6В, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55пФ @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
