Артикул: EPC2053
id: 2282249
Производитель: EPC
Серия: eGaN®
Корпус: Die
Диапазон рабочих температур: -40..150°C (TJ)
Вид монтажа: Surface Mount
Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
Упаковка: Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A
FET Type: N-Channel
Vgs (Max): +6В, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895пФ @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
